Технологии за взривно изпарение и катодно разпрашаване за получаване на резистивни NiCr - слоеве с малък разброс и нисък ТКР.Предназначени за използване на ХИС и чип - резистори

Отчет на тема N 4/85

Димитър Парашкевов

Технологии за взривно изпарение и катодно разпрашаване за получаване на резистивни NiCr - слоеве с малък разброс и нисък ТКР.Предназначени за използване на ХИС и чип - резистори

ЦБ/УД/П22

Детайли

Издателство

ВХТИ

Местоиздаване

Бургас

Година на издаване

1985

Страници

64 с. : с ил.

Класификационен индекс

УДК	Значение
УД78	Електроника

Допълнителна информация

Отрасъл

Общ отдел

Системен №

Инвентаризация

Статус	Брой
Централна библиотека (ЦБ)	1

Действия

APA Chicago / Turabian (16th edition) Harvard MLA (7th edition) Vancouver

Парашкевов, Д. Технологии за взривно изпарение и катодно разпрашаване за получаване на резистивни NiCr - слоеве с малък разброс и нисък ТКР.Предназначени за използване на ХИС и чип - резистори. Бургас: ВХТИ, 1985 64 с. : с ил.

Парашкевов, Д. (1985) Технологии за взривно изпарение и катодно разпрашаване за получаване на резистивни NiCr - слоеве с малък разброс и нисък ТКР.Предназначени за използване на ХИС и чип - резистори, Бургас: ВХТИ 64 с. : с ил.

Парашкевов, Д. (1985). Технологии за взривно изпарение и катодно разпрашаване за получаване на резистивни NiCr - слоеве с малък разброс и нисък ТКР.Предназначени за използване на ХИС и чип - резистори. Отчет на тема N 4/85. Бургас: ВХТИ, 64 с. : с ил.

Парашкевов Д. Технологии за взривно изпарение и катодно разпрашаване за получаване на резистивни NiCr - слоеве с малък разброс и нисък ТКР.Предназначени за използване на ХИС и чип - резистори: Отчет на тема N 4/85. Бургас: ВХТИ; 1985. p. 64 с. : с ил.